Qualcomm החליטה לעשות מעשה נועז ולשלב ידיים עם Samsung כדי ליצור את ה-Snapdragon 835, השבב החדש והיעיל שלה, שמציג לא מעט שיפורים מקודמו.
ה-Snapdragon 835 נוצר באמצעות תהליך ה-FinFET של Samsung, ויחד עם זה לשבב החדש של Qualcomm באים שיפורים רבים, כמו הגודל הקטן יותר, שמאפשר ליצרניות לקבל יותר מקום עבור מכשירים דקים יותר, או סוללות גדולות יותר. בהשוואה ל-Snapdragon 820, השבב הזה מציג לנו 30% יותר יעילות עם 27% שפיור בביצועים, או עד ל-40% שיפור בחיי הסוללה. בנוסף לכך, השבב תומך ב-Quick Charge 4 של היצרנית, מה שאומר שבעזרת 5 דקות של הטענה, אתם יכולים לקבל עד ל-5 שעות שימוש בטלפון.
עם הטכנולוגיה הזאת, אתם מקבלים קצב טעינה שגדול ב-20% מהשבב הקודם, וכדי לשים קצת קצפת על העוגה, ה-Snapdragon 325 תומך גם ב-USB Type C וב-USB-PD. השבב צפוי לצאת עם מכשירים חדשים במחצית הראשונה של 2017.