גלקסיית המחשבים חדשות וביקורות משחקים, קולנוע, חומרה וטכנולוגיה
Samsung מכריזה על שבבי DRAM חדשים בטכנולוגייה מהדור השני
ענקית המוליכים למחצה Samsung מכריזה על התחלת ייצור המוני של שבבי זיכרון מסוג DRAM בנפח 8GB שייצורו בתהליך 10nm מהדור השני, מה שישפר את ביצועי שבבי הזיכרון יחד עם שיפור בצריכת החשמל והקטנת גודלם הפיזי של השבבים. Samsung מיישמת את תהליך הייצור 10nm מהדור השני עליו הכריזה באפריל השנה על מנת לספק שבבי זיכרון חדשים ומהירים יותר לשוק, כאשר בהשוואה לשבבי זיכרון בעלי נפח זהה מהדור הראשון של הייצור ב-10nm מדובר בשיפור של כ-10% בביצועים ועד כ-15% בייעילות החשמלית. השבבים החדשים יוכלו לספק מהירות של 3.6Gbps לעומת 3.2Gbps של הדור הקודם.
בשבבי ה-DRAM המעודכנים החברה השתמשה במספר טכנולוגיות חדשות לשם קבלת ביצועים משופרים, ביניהן מערכת ניהול זיכרון שיכולה לקבוע בצורה טובה יותר את מיקום המידע על השבב ועל ידי כך להגדיל את המהירות. בנוסף, טכנולוגיה בשם Air Spacer משתמשת באוויר על מנת לבודד בין ערוצי המידע בשבב ודרך כך להפחית את הזליגה החשמלית בין חלקיו שמשנה את מצבם באופן לא רצוי.כל שיפור של שבבי הזיכרון הוא שלב חיובי בכל מוצרי הטכנולוגיה שתלויים בשבבי זיכרון לתפקודם. סמסונג אף הדגישה כי היא מתכננת ליישם את השיפורים השונים גם בשבבי הזיכרון הבאים מסוגים שונים כמו HBM3, GDDR3, DDR5, LPDDR5 ו-GDDR6.
