גלקסיית המחשבים חדשות וביקורות משחקים, קולנוע, חומרה וטכנולוגיה
בהודעה חדשה שפרסמה ענקית השבבים סמסונג חשפה החברה את הדור השלישי שלה של רכיבי ה-DRAM DDR4 בגודל 10 ננו-מטר.
אחת הפריצות המשמעותיות בתחום הרכיבים הממוחשבים הופיעה ברשת לפני כשבוע כאשר הודיעה סמסונג (Samsung) על החשיפה של הדור השלישי שלה של רכיבי ה-DDR4 DRAM בגודל 10 ננו-מטר ללא שימוש בליטוגרפיית אור אולטרא-סגול מיינן.תהליך הפבריקציה החדש של רמת ה-10 ננו-מטר (1z-nm) מגיע בתצורת 8GB מסוג DDR4 ומאפשר לתפוקה טובה יותר ב-20% של יעילות המפעל בהשוואה לדור הקודם.
הפקת ההמונים של הרכיבים תחל במחצית השנייה של שנת 2019 כאשר החברה מתכננת למקד את מאמצי המכירות שלה על שוק השרתים ומחשבי האקסטרים שאמורים לצאת ב-2020. שבבי ה-DRAM החדשים יימצאו את עצמם משתלבים בממשקים שייכללו את רכיבי ה-DDR5, LPDDR5 ואף GDDR6 המצופים.
